原位光電分析測試系統以掃描電子顯微鏡為基礎，集成陰極熒光譜、微納機械臂、外部電學測量等功能，構建了一個直觀、實時和原位地研究先進功能材料和器件物理性能的系統，不僅可以實現對納米材料或器件的原位發光的檢測和電學物性的測試、納米尺度的操作和控制、以及特定納米光電子器件的構筑，還可以實現實時原位研究微納器件材料光電轉換過程的動態信息。該系統主要由7個功能模塊組成，其型號及生產廠家如下：
（1）場發射掃描電子顯微鏡，；
（2）陰極熒光光譜儀，；
（3）MM3A-EM電鏡微納操縱儀，德國Kleindiek Nanotechnik；
（4）半導體特性分析儀, 脈沖碼型發生器, 示波器,；
（5）s納米圖形發生器；
（6）電鏡冷凍臺，
（7）激光器
二、 主要參數
（1）場發射掃描電子顯微鏡
具有高真空功能、低真空功能和環境真空功能（需要更換部件），大束流200n A并且連續可調，典型換樣時間：高真空模式≤150秒；低真空及環境真空模式≤270秒。高真空30kV二次電子像分辨率：30kV時1.0 nm。
（2）陰極熒光光譜儀
光譜范圍160nm-1700nm；光譜分辨率0.07nm （1200gr/mm刻線, 400nm激發）
（3）電鏡微納操縱儀
納米和微米級移動和厘米級的工作范圍，XY大不小于50mm, Z大12mm,XY大速率10mm/s, z軸大速率2 mm/s，精度指標XY≤5nm, Z≤0.5nm, 漂移量<1nm /min。
（4）半導體特性分析儀/脈沖碼型發生器/示波器
直流測試：4個SMU，電壓測量范圍±100V, 電壓測量小分辨率0.5μV，電流測量范圍±100mA，電流測量小分辨率0.1fA；電容CV測試：頻率范圍1KHz~5MHz，頻率精度±0.008%；脈沖測量小脈寬10ns，波形電平100 mV 到20V。
（5）納米圖形發生器
具有DXF/DWG讀/寫轉換- GDSII/CIF圖形導入功能，同步掃描頻率為5 MHz,兼容6 MHz，電子束停留時間小增量(定時精度)為0.5納秒, 矢量掃描刻寫方式。
（6）電鏡冷凍臺
冷臺溫度可控范圍低至-190℃，溫度穩定性優于±0.5°C，冷阱溫度為-190℃。
（7）激光器
工作頻率10Hz，能量穩定性< ±10%，指向穩定性<±100微弧度，帶光學參量控制器（opo），opo控制輸出在192-2750nm波長范圍內。